HCT802详细
MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
HCT802参数
包装:散装,系列:-,FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):90V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:2A，1.1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):70pF @ 25V,功率 - 最大值:500mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-SMD，无引线,供应商器件封装:6-SMD
